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申请/专利权人：清华大学
申请日：2024-05-29
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118241165A
主分类号：C23C14/24
分类号：C23C14/24;C23C14/14;C23C14/58
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请提供一种薄膜及其制备方法，薄膜的成分为钴锑二元化合物，钴锑二元化合物具有四方相的晶体结构。本申请提供的制备方法可制得具有四方相晶体结构的成分为钴锑二元化合物的薄膜，且薄膜具有大面积连续分布的形貌，通过该制备方法制得的钴锑二元化合物的薄膜有望能够成为新型的高温超导材料、拓扑材料。
主权项：1.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜的成分为钴锑二元化合物，所述钴锑二元化合物具有四方相的晶体结构。
全文数据：
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