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申请/专利权人：ASMIP私人控股有限公司
申请日：2023-12-20
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118241185A
主分类号：C23C16/455
分类号：C23C16/455;C23C16/18;H01L21/02
优先权：["20221223 US 63/434,951"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本公开涉及在衬底上形成包含过渡金属的膜的方法。本公开还涉及过渡金属层、包括含有过渡金属的层的结构和器件。在该方法中，通过循环沉积过程将过渡金属沉积在衬底上。该方法包括在反应器室中提供衬底并执行循环沉积过程。该循环沉积过程包括以下步骤：将过渡金属前体以气相提供到反应室中，并且将卤素前体以气相提供到反应室中，以在衬底上形成包含元素过渡金属的膜。卤素前体仅包含一个卤素原子。本公开还涉及一种用于在衬底上沉积包含过渡金属的材料的沉积组件。
主权项：1.一种通过循环沉积过程在衬底上形成包含过渡金属的膜的方法，该方法包括：在反应器室中提供衬底；并且执行循环沉积过程，该循环沉积过程包括以下步骤：将过渡金属前体以气相提供到反应室中；以及将卤素前体以气相提供到反应室中；以在衬底上形成包含元素过渡金属的膜，其中卤素前体仅包含一个卤素原子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASMIP私人控股有限公司 过渡金属沉积过程和沉积组件
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