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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248625A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L21/311
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种顶层铜衬垫窗口的制造方法，包括：依次形成供衬垫窗口穿过的第一至三介质层。形成第四介质层。第一和第四介质层之间具有第二刻蚀选择比大于第一和第三介质层之间具有第一刻蚀选择比。形成光刻胶图形定义出衬垫窗口形成区域。进行第一次刻蚀并停止在第一介质层上。去除光刻胶。进行第二次刻蚀将衬垫窗口形成区域剩余的第一介质层完全去除；第二次刻蚀会对第四介质层产生损耗，利用第二刻蚀选择比大于第一刻蚀选择比的特征，减少衬垫窗口形成区域外的刻蚀量并从减少刻蚀产物。采用湿法清洗去除剩余的第四介质层以及刻蚀产物并从而形成衬垫窗口。本发明能在刻蚀过程中减少衬垫窗口对应的顶层膜的刻蚀损耗，能保证完全去除刻蚀产物。
主权项：1.一种顶层铜衬垫窗口的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在底层结构上依次形成供衬垫窗口穿过的第一介质层、第二介质层和第三介质层；所述底层结构为形成了顶层铜组成的铜衬垫的半导体衬底；所述顶层铜的周侧隔离有金属间介质层；所述第一介质层采用能阻挡铜向上扩散的材料；所述第二介质层和所述第三介质层作为钝化层；所述第一介质层和所述第三介质层之间具有第一刻蚀选择比；步骤二、在所述第三介质层表面形成第四介质层；所述第一介质层和所述第四介质层之间具有第二刻蚀选择比；所述第二刻蚀选择比大于所述第一刻蚀选择比；步骤三、形成光刻胶图形定义出衬垫窗口形成区域；步骤四、以所述光刻胶图形为掩膜进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀依次对所述第四介质层、所述第三介质层和所述第二介质层进行刻蚀并停止在所述第一介质层上；步骤五、去除所述光刻胶图形；步骤六、进行第二次刻蚀以将所述衬垫窗口形成区域剩余的所述第一介质层完全去除；所述第二次刻蚀会对所述衬垫窗口形成区域外的所述第四介质层产生损耗，所述第二次刻蚀完成后，所述第四介质层保留部分厚度；在所述第二次刻蚀中，利用所述第二刻蚀选择比大于所述第一刻蚀选择比的特征，减少所述衬垫窗口形成区域外的刻蚀量并从减少刻蚀产物；步骤七、采用湿法清洗去除剩余的所述第四介质层以及所述刻蚀产物并从而形成所述衬垫窗口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 顶层铜衬垫窗口的制造方法
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