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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日：2024-05-29
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118244570A
主分类号：G03F1/20
分类号：G03F1/20;G03F7/20;G03F1/78
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种金属图形的制作方法，该金属图形的制作方法包括以下步骤：利用版图设计工具制作出包括至少一目标图形和补偿图形的版图，目标图形包括至少一转角，补偿图形位于目标图形各个转角外围，将版图导入电子束曝光系统；提供一衬底，于衬底上表面形成电子束抗蚀层，再将该衬底置于电子束曝光系统中；以第一、二预设曝光剂量分别对目标图形与补偿图形所对应区域进行区域曝光，并对曝光后的电子束抗蚀层进行显影以形成具有图案的掩膜层；形成覆盖掩膜层的金属层；去除覆盖掩膜层上表面的金属层及掩膜层。本发明属于电子束光刻技术领域，利用补偿图形区域进行第二预设曝光剂量的曝光以对目标图形区域进行曝光剂量补偿，实现了高保真图形转移。
主权项：1.一种金属图形的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：利用版图设计工具制作出包括至少一目标图形和补偿图形的版图，所述目标图形包括至少一转角，所述补偿图形至少位于所述目标图形的各个转角的外围且与所述目标图形邻接，并将所述版图导入电子束曝光系统；提供一衬底，于所述衬底上表面形成预设厚度的电子束抗蚀层，再将所述衬底置于所述电子束曝光系统中；以第一预设曝光剂量和第二预设曝光剂量分别对所述目标图形与所述补偿图形所对应的所述电子束抗蚀层区域进行区域曝光，并对曝光后的所述电子束抗蚀层进行显影以形成具有底面显露出所述衬底的图案的掩膜层，且所述第一预设曝光剂量大于所述第二预设曝光剂量，所述第二预设曝光剂量的剂量值自与所述目标图形对应区域邻接的边缘沿远离所述目标图形对应区域的方向呈逐渐递减趋势，所述掩膜层中所述图案的侧壁的顶部区域呈缓坡状；基于图案化的所述掩膜层形成覆盖所述掩膜层上表面的金属层及所述图案显露的所述衬底上表面的所述金属层；去除覆盖所述掩膜层上表面的所述金属层及所述掩膜层，以得到目标金属图形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种金属图形的制作方法
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