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一种反激式变压器的调节方法、系统及存储介质 

申请/专利权人:广州大学

申请日:2020-08-17

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN112115662B

主分类号:G06F30/367

分类号:G06F30/367

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.25#授权;2021.01.08#实质审查的生效;2020.12.22#公开

摘要:本发明公开了一种反激式变压器的调节方法、系统及存储介质;本发明通过使用AnsoftMaxwell软件建立反激式变压器仿真模型,单独改变磁芯的形状和屏蔽体的形状、材质后,利用坡印廷能流密度公式进行一系列仿真,得到场分布仿真图,根据所述场分布仿真图预测影响反激式变压器辐射强度的因素,并通过相应地调节反激式变压器来降低辐射干扰,从而减少开关电源的整体辐射干扰,能够有效解决电磁兼容的问题,降低成本;有利于提高电路的稳定性和电子设备的安全性,同时也能减小对周边用电设备的干扰,保证周边用电设备稳定安全地工作,改善人们的生活环境。

主权项:1.一种反激式变压器的调节方法,其特征在于,包括以下步骤:基于Maxwell,构建反激式变压器辐射干扰的仿真模型;利用所述仿真模型预测影响反激式变压器辐射强度的因素;根据预测的结果,调节反激式变压器;其中,所述利用所述仿真模型预测影响反激式变压器辐射强度的因素这一步骤,具体包括:利用所述仿真模型进行模拟仿真实际反激式变压器工作时的电磁能量场;通过坡印廷公式计算得到场分布仿真图;根据所述场分布仿真图,预测影响反激式变压器辐射强度的因素;其中,所述影响反激式变压器辐射强度的因素包括:反激式变压器的磁芯形状、反激式变压器中添加的屏蔽体的形状和反激式变压器中添加的屏蔽体的材质;所述基于Maxwell,构建反激式变压器辐射干扰的仿真模型这一步骤,具体包括:根据AnsoftMaxwell软件数据库储存的材质图,进行3D建模;其中,3D建模的构建方式选取为涡电流仿真方式,3D建模所构建的模型按照圆柱形EE型磁芯变压器的结构进行设计,其中:所述圆柱形EE型磁芯变压器的磁芯材质设置为铁,所述圆柱形EE型磁芯变压器的一级绕组和二级绕组分别由两个环形长方体代替并设置所述一级绕组和所述二级绕组的材质为铜,在所述一级绕组和所述二级绕组之间采用一层塑料材质的环形长方体进行隔离,在所述一级绕组和所述二级绕组的外部包裹一层塑料材质的环形长方体;调用预先设置好的边界条件和激励源;获取坡印廷公式,并在检测到仿真信号时启动运行所述坡印廷公式;生成所述反激式变压器辐射干扰的仿真模型。

全文数据:

权利要求:

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