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申请/专利权人：北京航空航天大学;北京航空航天大学宁波创新研究院
摘要：本发明提供了一种提高开通性能的碳化硅MOSFET驱动电路，包括：PWM驱动模块，用于基于接收的PWM信号，向碳化硅MOSFET发送驱动信号，以控制所述碳化硅MOSFET的通断；漏源极电压获取模块，用于获取所述碳化硅MOSFET的漏源极电压；漏极电流获取模块，用于获取所述碳化硅MOSFET的漏极电流；栅极电流控制模块，用于基于所述碳化硅MOSFET的漏源极电压和漏极电流的变化，改变栅极电流控制电路的通断状态，以改变所述碳化硅MOSFET的栅极电流的大小。本发明通过栅极电流控制模块，能够降低开通电流过冲，提升开通速度，降低开通损耗，提升碳化硅MOSFET的效率和可靠性。
主权项：1.一种提高开通性能的碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于，包括：PWM驱动模块，用于基于接收的PWM信号，向碳化硅MOSFET发送驱动信号，以控制所述碳化硅MOSFET的通断；漏源极电压获取模块，用于获取所述碳化硅MOSFET的漏源极电压；漏极电流获取模块，用于获取所述碳化硅MOSFET的漏极电流；栅极电流控制模块，用于当所述漏极电流上升到第一设定值时，栅极电流控制电路接通，以降低所述碳化硅MOSFET的栅极电流；当所述漏源极电压下降到第二设定值时，所述栅极电流控制电路断开，以增加所述碳化硅MOSFET的栅极电流；所述第一设定值为k1*IL，所述第二设定值为k2*VDC，k1,k2的取值分别满足0.7k11，0.7k21；所述IL是负载电流，所述VDC是母线电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京航空航天大学 北京航空航天大学宁波创新研究院 提高开通性能的碳化硅MOSFET驱动电路及控制方法
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