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一种百香果超低温脱毒方法及脱毒苗快速繁殖的方法 

申请/专利权人:云南龙藏生物科技有限公司

申请日:2024-04-10

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118000102B

主分类号:A01H4/00

分类号:A01H4/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.25#授权;2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开

摘要:本发明涉及一种百香果超低温脱毒方法及脱毒苗快速繁殖的方法,包括以下步骤:切取百香果茎尖进行高糖预培养处理和高渗溶液中培养后得到失水的茎尖;将失水的茎尖放入超低温保护液中脱水处理得到脱水的茎尖;超低温条件下处理脱水的茎尖复水处理再转接至恢复培养基上培养;将恢复培养后的茎尖接种到增殖培养基中培养;最后转接到生根培养基培养。本发明所述的一种百香果超低温脱毒方法及脱毒苗快速繁殖的方法具有脱毒率高、茎尖存活率高、扩繁效果好的优点。

主权项:1.一种百香果脱毒苗快速繁殖的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:切取百香果茎尖,洗净消毒后进行高糖预培养处理,再放入高渗溶液中培养,得到失水的茎尖;步骤S2:将失水的茎尖放入在WPM基础培养基中加入甘油、PEG和DMSO所形成的超低温保护液中脱水处理,得到脱水的茎尖;步骤S3:将脱水的茎尖在液氮条件下超低温脱毒处理;步骤S4:将超低温脱毒处理后的茎尖进行复水处理,再转接至恢复培养基上恢复培养,得到脱毒茎尖;步骤S5:将得到的脱毒茎尖接种到增殖培养基中培养;再转接到生根培养基培养,其中,所述增殖培养基是在WPM基础培养基中加入6-BA、KT、香蕉泥和活性炭所形成的;所述生根培养基是在WPM基础培养基中加入6-BA和NAA所形成的;其中,用于高糖预培养处理的预培养基、高渗溶液、用于复水处理的复水保护液、恢复培养基中均包含WPM基础培养基。

全文数据:

权利要求:

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