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非易失性存储器编程顺序 

申请/专利权人:西部数据技术公司

申请日:2020-06-15

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN112947849B

主分类号:G06F3/06

分类号:G06F3/06;G06F11/10

优先权:["20191210 US 16/709,709"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.25#授权;2021.07.02#实质审查的生效;2021.06.11#公开

摘要:一种设备包含非易失性存储器和配置成对所述非易失性存储器进行编程的控制电路。所述控制电路配置成改变编程顺序。在一个方面中,所述控制电路改变从一个时间点到另一时间点对字线进行编程的所述顺序。在一个方面中,所述控制电路使用一种顺序以对一个字线集合进行编程且使用不同顺序以对不同的字线集合进行编程。所述字线集合可以在不同子块、存储器块或存储器裸片中。此类编程顺序差异可改进错误恢复性能。

主权项:1.一种非易失性存储装置,其包括:三维结构,包括非易失性存储器单元,所述三维结构包括第一层和第二层;多个字线,其连接到所述非易失性存储器单元,所述多个字线包括位于所述第一层中的字线的第一集合和位于所述第二层中的字线的第二集合,其中所述字线的第一集合包括擦除单位,其中所述字线的第二集合包括擦除单位;和控制电路,其连接到所述多个字线和所述非易失性存储器单元,其中所述控制电路配置成:以从所述第一层的第一端到第二端的第一顺序次序对所述字线的第一集合进行编程,在以所述第一顺序次序对所述字线的第一集合进行编程后,将所述字线的第一集合擦除,且在所述擦除后,以从所述第一层的第二端到第一端的第二顺序次序对所述字线的第一集合进行编程。

全文数据:

权利要求:

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