申请/专利权人：天津津航计算技术研究所

申请日：2020-10-16

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN112185455B

主分类号：G11C29/56

分类号：G11C29/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.25#授权;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开

摘要：本发明属于SRAM存储硬件系统技术领域，具体涉及一种SRAM通用测速电路。所述SRAM通用测速电路包括：SRAM读操作测速模块、SRAM写操作测速模块、SRAM读写速度综合模块和总线接口模块；为了解决硬件系统在适配不同型号的SRAM时无法自动识别SRAM的最大读写速度而导致的无法发挥SRAM最佳性能的问题。该电路通过对SRAM读写速度采用特定算法进行多次试探性采样确定SRAM的读写速度。该电路可以通过硬件实现模块化并嵌入到硬件电路系统中，使系统具备自动识别SRAM读写速度的功能，在系统更换SRAM后不用更改系统代码和状态，提高了系统的兼容性、易用性和可维护性，具有十分重要的应用意义。

主权项：1.一种SRAM通用测速电路，其特征在于，所述SRAM通用测速电路包括：SRAM读操作测速模块、SRAM写操作测速模块、SRAM读写速度综合模块和总线接口模块；其中，所述SRAM读操作测速模块用于对SRAM的不同数据组合下的读取速度进行测试，确认新配置的SRAM的读操作最大速度参数矩阵并提供给SRAM读写速度综合模块；所述不同数据组合下表示：数据为全0，全1以及0、1混合的不同数据组合；所述SRAM写操作测速模块用于对SRAM的不同组合下的写入速度进行测试，确认新配置的SRAM的写操作最大速度参数矩阵并提供给SRAM读写速度综合模块；所述不同数据组合下表示：数据为全0，全1以及0、1混合的不同数据组合；所述SRAM读写速度综合模块用于接收SRAM读操作测速模块和SRAM写操作测速模块提供的读操作最大速度参数矩阵和写操作最大速度参数矩阵，并根据读操作最大速度参数矩阵和写操作最大速度参数矩阵合成为读写速度参数矩阵，通过总线接口模块传递给硬件系统处理器进行处理；所述总线接口模块作为SRAM读写速度综合模块和外部硬件系统处理器的接口，负责数据的传输；其中，所述SRAM读操作测速模块通过设定一个初始读取速度，根据SRAM能否正确读取数据来不断调整一用于读取速度增加或缩减的步长，直到调整的步长达到预期的步长阈值，该步长阈值情况下的读取速度作为SRAM的读操作最大速度；所述SRAM写操作测速模块通过设定一个初始写入速度，根据SRAM能否正确写入数据来不断调整一用于写入速度增加或缩减的步长，直到调整的步长达到预期的步长阈值，该步长阈值情况下的写入速度作为SRAM的写操作最大速度；其中，所述SRAM读操作测速模块的工作过程为：步骤A1：首先检测SRAM的位宽参数W，根据W开展SRAM的读取操作；步骤A2：通过判断读取数据是否正确来决定读取速度的调整方向，如果读取正确，则根据一步长来减小读取时间再进行读取操作，如果读取失败，则同样根据该步长增大读取时间再进行读取操作；其中，根据读取时间与读取速度的关系，用于增加或缩减读取时间的步长实际亦即为用于增加或缩减读取速度的步长；步骤A3：直到读取出现错误时，回退到上一个读取时间参数，减小步长再次进行测试，直到步长减小到一个预先设定的步长阈值，此时能够正确读取数据的最大的读取速度作为SRAM的读操作最大速度；所述SRAM写操作测速模块的工作过程为：步骤B1：首先检测SRAM的位宽参数W，根据W开展SRAM的读取操作；步骤B2：通过判断写入数据是否正确来决定写入速度的阈值调整方向，如果写入正确，则根据一步长来减小写入时间再进行写入操作，如果写入失败，则同样根据该步长增大写入时间再进行写入操作；其中，根据写入时间与写入速度的关系，用于增加或缩减写入时间的步长实际亦即为用于增加或缩减写入速度的步长；步骤B3：直到写入出现错误时，回退到上一个写入时间参数，减小步长再次进行测试，直到步长减小到一个预先设定的步长阈值，此时能够正确写入数据的最大的写入速度作为SRAM的写操作最大速度；其中，由于SRAM对于读写0和读写1的速度有差别，因此需要读写不同数据组合，形成读操作最大速度参数矩阵以及写操作最大速度参数矩阵。

全文数据：

权利要求：

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