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申请/专利权人：IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学
申请日：2023-12-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118230795A
主分类号：G11C16/24
分类号：G11C16/24;G11C16/08
优先权：["20221220 EP 22214827.2"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本公开涉及静态随机存取存储器SRAM。具体而言，本公开提供了一种堆叠式SRAM单元，以及用于制造该堆叠式SRAM单元的方法。堆叠式SRAM单元包括两个第一晶体管结构和两个第二晶体管结构，它们形成一对交叉耦合的反相器，并且包括一个或两个传输栅极PG晶体管结构。此外，堆叠式SRAM单元包括布置在晶体管结构上方的第一电源轨和或第二电源轨，其中第一电源轨通过相应的第一通孔从上方连接到第一晶体管结构，和或第二电源轨通过相应的第二通孔从上方连接到第二晶体管结构。SRAM单元还包括布置在PG晶体管结构下方的一个或两个位线。每个位线通过相应的第三通孔从下方连接到一个PG晶体管结构。
主权项：1.一种堆叠式静态随机存取存储器SRAM单元10，包括：两个第一晶体管结构11；两个第二晶体管结构12；其中所述第一晶体管结构11和所述第二晶体管结构12形成一对交叉耦合的反相器；一个或两个传输栅极PG晶体管结构13；布置在所述第一晶体管结构11和所述第二晶体管结构12上方的一个或多个第一电源轨14和或一个或多个第二电源轨15，其中所述一个或多个第一电源轨14通过相应的第一通孔16从上方连接到所述第一晶体管结构11中的至少一者，和或所述一个或多个第二电源轨15通过相应的第二通孔17从上方连接到所述第二晶体管结构12中的至少一者；以及布置在所述PG晶体管结构13下方的一个或两个位线19，其中每个位线19通过相应的第三通孔18从下方连接到一个PG晶体管结构13。
全文数据：
权利要求：
百度查询： IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学 具有双侧互连结构的堆叠式SRAM单元
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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