龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2023-08-18
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231336A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L23/48;H01L23/528
优先权：["20230210 US 63/484,231","20230508 US 18/313,746"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请公开了互连结构中的选择性金属帽。各实施例提供一种方法和所得结构，该方法包括：在电介质层中形成开口以暴露金属特征，在金属特征上选择性地沉积金属帽，在金属帽之上沉积阻挡层，以及在阻挡层上沉积导电填充物。
主权项：1.一种用于形成半导体结构的方法，包括：在导电特征之上沉积电介质层；图案化所述电介质层以在所述电介质层中形成开口，所述开口暴露所述导电特征的第一部分；在所述导电特征之上选择性地沉积金属帽；以及在所述开口的侧壁上和所述金属帽之上沉积阻挡层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 互连结构中的选择性金属帽
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号