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申请/专利权人：盛合晶微半导体(江阴)有限公司
申请日：2024-05-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231342A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L23/488;H01L23/49;H01L21/60
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供一种3D垂直互连封装结构及其制备方法，通过打线、封装及切割相结合的方式制备具有间隔且平行设置金属线的3D互连结构，并在键合时将3D互连结构垂直设置以构成3D垂直互连结构，从而可通过控制3D互连结构中的打线间距控制3D垂直互连结构中金属线间的间距，通过控制3D互连结构中的金属线的长度以控制3D垂直互连结构中金属线的高度，且通过控制3D互连结构中的金属线的线径以控制3D垂直互连结构中金属线的接触点的大小；本发明可实现高密度封装，且制程工艺灵活，适用范围广，可避免金属线的偏移确保产品质量。
主权项：1.一种3D垂直互连封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一支撑衬底；于所述第一支撑衬底上形成焊点接触层；采用打线方式，于所述焊点接触层上形成间隔设置的金属线，各所述金属线的第一焊点及第二焊点均位于所述焊点接触层上，且各所述金属线间具有投影相重叠的金属线水平区；于所述焊点接触层上形成第一封装层，所述第一封装层包覆所述金属线；去除所述第一支撑衬底及所述焊点接触层；进行切割，保留所述金属线水平区形成3D互连结构，且所述3D互连结构的相对侧面均显露各所述金属线的第一端及第二端；提供第二支撑衬底；于所述第二支撑衬底上形成第一重新布线层；旋转所述3D互连结构，将所述3D互连结构键合于所述第一重新布线层上构成3D垂直互连结构，使得显露的所述金属线的第一端与所述第一重新布线层电连接，以及于所述第一重新布线层上键合第一芯片，且所述第一芯片与所述第一重新布线层电连接；形成第二封装层，所述第二封装层包覆所述3D垂直互连结构及所述第一芯片，且所述第二封装层显露所述金属线的第二端；于所述第二封装层上形成第二重新布线层，所述第二重新布线层与显露的所述金属线的第二端电连接；于所述第二重新布线层上键合第二芯片，所述第二芯片与所述第二重新布线层电连接；去除所述第二支撑衬底，显露所述第一重新布线层；于所述第一重新布线层上形成金属凸块，所述金属凸块与所述第一重新布线层电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 3D垂直互连封装结构及其制备方法
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