申请/专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司

申请日：2023-10-31

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN118230787A

主分类号：G11C11/417

分类号：G11C11/417;G11C11/418;G11C11/419;G11C11/412

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.21#公开

摘要：本发明涉及一种抗单粒子翻转的SRAM存储单元电路及存储器，电路包括3个PMOS管和6个NMOS管。PMOS管MP4和NMOS管MN4构成了反相器电路；PMOS管MP1，PMOS管MP2，NMOS管MN1，NMOS管MN2，NMOS管MN3构成了一个抗单粒子翻转的逻辑增强电路；NMOS管MN5和NMOS管MN6构成了数据传输端口。反相器输入端与Qb储存节点相连，输出端与Q储存节点相连，完成数据的锁存第一存储节点Q和第二存储节点Qb的互锁，提升了对抗单粒子翻转的性能，且MOS管数量相对较少，电路结构相对简单。当数据进行写操作时，CL信号开始进行输入，逻辑增强电路的第一、第二支路同时工作，使得存储单元的互锁能力减弱，更容易写入数据。

主权项：1.一种抗单粒子翻转的SRAM存储单元电路，其特征在于，包括：NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、PMOS管MP1、PMOS管MP2和PMOS管MP4；NMOS管MN1的源极与NMOS管MN4的源极和地电性连接；NMOS管MN1的栅极与NMOS管MN5的源极，PMOS管MP4的漏极，NMOS管MN4的漏极，PMOS管MP1的栅极，PMOS管MP2的栅极，NMOS管MN2的栅极电性连接；NMOS管MN1的漏极与NMOS管MN2的源极，NMOS管MN3的源极电性连接；NMOS管MN2的源极与NMOS管MN3的源极，NMOS管MN1的漏极电性连接；NMOS管MN2的栅极与PMOS管MP1的栅极，PMOS管MP2的栅极，NMOS管MN1的栅极，PMOS管MP4的漏极，NMOS管MN4的漏极，NMOS管MN5的源极电性连接；NMOS管MN2的漏极与NMOS管MN3的漏极，PMOS管MP2的漏极，NMOS管MN2的漏极，PMOS管MP4的栅极，NMOS管MN4的栅极，NMOS管MN6的源极电性连接；NMOS管MN3的栅极与写控制线CL信号电性连接。NMOS管MN5的栅极，NMOS管MN6的栅极与字线WL信号电性连接，NMOS管MN5的漏极与第一位线BLB信号连接；NMOS管MN6的漏极与第二位线BL信号电性连接。PMOS管MP1的漏极、PMOS管MP4的漏极和VDD电性连接，PMOS管MP1的源极与PMOS管MP2漏极电性连接。

全文数据：

权利要求：

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