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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2024-02-20
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197376A
主分类号：G11C11/412
分类号：G11C11/412;G11C11/413
优先权：["20230220 US 63/447,039","20230726 US 18/359,395"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.02#实质审查的生效;2024.06.14#公开
摘要：本申请的实施例公开了SRAM单元、存储器中计算器件和操作基于SRAM的电路的方法。SRAM单元包括交叉耦合到第二反相器的第一反相器。第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，其具有限定第一储存节点的耦合漏极。SRAM单元还包括第一N型通过门晶体管，其具有耦合到写入位线的第一漏极、耦合到第一储存节点的第一源极以及耦合到第一写入字线的第一栅极。SRAM单元还包括第一P型通过门晶体管，其具有耦合到写入位线的第二漏极和耦合到第一储存节点的第二源极。SRAM单元还包括P型晶体管，该P型晶体管具有耦合到第一P型通过门晶体管的第二栅极的第三漏极、耦合到第二写入字线的第三源极和耦合到使能信号的第三栅极。
主权项：1.一种静态随机存取存储器单元，包括：对称锁存器，包括交叉耦合到第二反相器的第一反相器，其中，所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，其中，所述第一上拉晶体管的漏极和所述第一下拉晶体管的漏极电耦合并限定第一储存节点Q；第一N型通过门晶体管，具有耦合到写入位线的第一漏极、耦合到所述第一储存节点Q的第一源极和耦合到第一写入字线的第一栅极；第一P型通过门晶体管，具有耦合到所述写入位线的第二漏极和耦合到所述第一储存节点Q的第二源极；以及P型晶体管，具有耦合到所述第一P型通过门晶体管的第二栅极的第三漏极、耦合到第二写入字线的第三源极和耦合到使能信号的第三栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 SRAM单元、存储器中计算器件和操作基于SRAM的电路的方法
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