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芯片调试方法及相关装置 

申请/专利权人:珠海市芯动力科技有限公司

申请日:2023-11-29

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN117330942B

主分类号:G01R31/317

分类号:G01R31/317;G01R31/3181

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.25#授权;2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开

摘要:本申请提供了一种芯片调试方法及相关装置,应用于目标芯片的并行处理器,方法包括:获取标准工作电压下配置在双数据速率物理层接口模块中的参考窗口参数;通过双数据速率物理层接口模块执行读写测试,以判断目标芯片能否在第一电压波动范围内正确读写;若不能正确读写,则检测目标芯片中所有功能模块的工作电压波动范围;若检测到双数据速率物理层接口模块的工作电压波动范围为第二电压波动范围,则调整参考窗口参数,以使得目标芯片能够在第一电压波动范围内正确读写。如此,解决了已经按照原有设计生产的目标芯片无法在较大的电压波动下正确读写的问题,极大提高了已制板生产的包含目标芯片的PCB板卡的良品率。

主权项:1.一种芯片调试方法,其特征在于,应用于目标芯片的并行处理器,所述目标芯片包括所述并行处理器和双数据速率物理层接口模块,所述并行处理器通过所述双数据速率物理层接口模块与目标存储器连接,所述目标芯片在目标输入电压下的工作电压波动范围为第一电压波动范围,所述方法包括:获取标准工作电压下配置在所述双数据速率物理层接口模块中的参考窗口参数,所述标准工作电压是指数值等于所述目标输入电压的所述目标芯片的工作电压,所述参考窗口参数用于指示在所述标准工作电压下所述目标芯片能够正确读写的延时窗口;分别在第一工作电压和第二工作电压下通过所述双数据速率物理层接口模块执行对所述目标存储器的读写测试,所述第一工作电压是指所述第一电压波动范围的最小电压值,所述第二工作电压是指所述第一电压波动范围的最大电压值;若所述目标芯片在所述第一工作电压和所述第二工作电压下均能够正确读写,则确定所述目标芯片能够在所述第一电压波动范围内正确读写;若所述目标芯片在所述第一工作电压和所述第二工作电压中的任意一个工作电压下不能正确读写,则确定所述目标芯片不能在所述第一电压波动范围内正确读写;若所述目标芯片不能在所述第一电压波动范围内正确读写,则检测所述目标芯片中所有功能模块在所述目标输入电压下的工作电压波动范围;若检测到所述双数据速率物理层接口模块在所述目标输入电压下的工作电压波动范围为第二电压波动范围,则调整所述参考窗口参数,以使得所述目标芯片能够在所述第一电压波动范围内正确读写,所述第一电压波动范围包含所述第二电压波动范围。

全文数据:

权利要求:

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