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申请/专利权人：上海谙邦半导体设备有限公司
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN117954370B
主分类号：H01L21/683
分类号：H01L21/683
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本申请实施例涉及半导体加工技术领域，公开了一种静电吸盘控制方法、静电吸盘及半导体加工设备。该静电吸盘包括相对设置的偏置电极和吸附电极，偏置电极通过适配器与射频电源电连接，吸附电极与高压静电电源电连接，该静电吸盘控制方法在进入刻蚀工艺阶段之前包括：采用手动或者自动的方法，将偏置电极接地；将吸附电极通电，吸附晶圆；在吸附电极通电持续预设时间后，吸附电极电动势大小趋于稳定时，断开偏置电极的接地；开启射频电源和适配器。本申请实施例提供的静电吸盘控制方法、静电吸盘及半导体加工设备，能够避免静电吸盘中两个电极间的电容充放电效应造成的电路元件损伤，保证了电路元件的安全。
主权项：1.一种静电吸盘控制方法，其特征在于，所述静电吸盘包括相对设置的偏置电极和吸附电极，所述偏置电极通过适配器与射频电源电连接，所述偏置电极连接有接地线路且所述接地线路串联有电磁继电器，所述电磁继电器控制所述偏置电极接地线路的接通和关闭，所述吸附电极与高压静电电源电连接，所述高压静电电源与所述吸附电极连通电路之间串联有第一电感，所述电磁继电器由所述第一电感自动控制，在进入刻蚀工艺阶段之前所述静电吸盘控制方法包括：打开所述高压静电电源，通过所述第一电感自动控制，将所述偏置电极接地；将所述吸附电极通电，吸附晶圆；在所述吸附电极通电持续时间大于等于2秒且小于5秒后，所述吸附电极电动势大小趋于稳定时，自动断开所述偏置电极的接地；开启所述射频电源和适配器；在结束刻蚀工艺阶段之后所述静电吸盘控制方法还包括：关闭所述射频电源和适配器；关闭所述高压静电电源，通过所述第一电感自动控制，将所述偏置电极接地；将所述吸附电极断电；在吸附电极断电时间大于等于2秒且小于5秒后，吸附电极电动势大小稳定为零时，自动断开偏置电极的接地；所述静电吸盘控制方法，通过所述高压静电电源的打开或关闭时产生的瞬时电动势变化产生的感应磁场，控制所述偏置电极接地线路的自动通断，进而保护所述偏置电极电路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海谙邦半导体设备有限公司 一种静电吸盘控制方法、静电吸盘及半导体加工设备
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