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申请/专利权人：伍斯特理工学院
申请日：2021-05-26
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN115715275B
主分类号：H01M10/052
分类号：H01M10/052;C01D15/00;C30B1/02;H01M10/54;B22F8/00;C30B29/16
优先权：["20200527 US 63/030,414"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2023.03.14#实质审查的生效;2023.02.24#公开
摘要：二次电池用充电材料的再循环和合成产生用于生产具有更长充电循环寿命的电池的单晶充电材料。充电材料颗粒经历加热以熔合或增强多晶颗粒之间的晶界。所得的界限更分明的晶界容易被相对弱的无机酸溶液蚀刻。该酸溶液去除晶界处的材料，以沿着晶界将次级颗粒分离成初级颗粒。将所得单晶singlecrystal单晶monocrystalline充电材料颗粒洗涤并过滤，并且典型地再烧结以考虑任何所需的锂碳酸锂，并且产生具有更大表面积、更高锂扩散率和更低阳离子有序性的充电材料。
主权项：1.一种用于蚀刻二次电池用充电材料的方法，其特征在于，该方法包括：加热包括多晶颗粒的充电材料，这些多晶颗粒由晶界限定，该加热的温度升高是在高于多晶形成温度50℃-60℃的范围内；将酸溶液添加到该充电材料中，该酸溶液具有基于该酸溶液中酸的类型的预定比率，该酸的类型包括以下至少一种：盐酸、硝酸、磷酸、硫酸、硼酸、氢氟酸、氢溴酸、高氯酸和氢碘酸；以及将该充电材料与该酸溶液一起搅拌，以蚀刻在加热后残留的晶界，从而形成由去除蚀刻的晶界而产生的单晶；其中，该充电材料是来自废电池的再循环流或精炼的原始来源的多晶镍锰钴，简称NMC。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 伍斯特理工学院 单晶阴极材料的简易蚀刻
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