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申请/专利权人：中山智隆新材料科技有限公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118255577A
主分类号：C04B35/01
分类号：C04B35/01;C04B35/622;H01L31/18;H10K71/00;H10K30/50;H01L31/072
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种氧化铟铈靶材及其制备方法与应用，包括以下步骤：S1、将金属氧化物粉末材料制成浆料后造粒后得到球型颗粒，其中所述金属氧化物粉末的制备原料包括In2O3和CeO2，按摩尔百分比计，In2O3为90‑97％，CeO2为3％‑10％；S2、将所述球型颗粒进行模压成型、等静压成型后得素坯靶材；S3、将所述素坯靶材分段烧结后降温即得。本发明提出一种氧化铟铈靶材的制备方法制备得到的氧化铟铈靶材优于同等条件下热压烧结的致密度，溅射后具有高迁移率、高透过率的特点可应用于光伏异质电池领域。
主权项：1.一种氧化铟铈靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将金属氧化物粉末材料制成浆料后造粒后得到球型颗粒，其中所述金属氧化物粉末的制备原料包括In2O3和CeO2，按摩尔百分比计，In2O3为90-97％，CeO2为3％-10％；S2、将所述球型颗粒进行模压成型、等静压成型后得素坯靶材；S3、将所述素坯靶材分段烧结后降温即得。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山智隆新材料科技有限公司 一种氧化铟铈靶材及其制备方法与应用
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