申请/专利权人：成都格胜智芯科技有限公司

申请日：2024-03-25

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN118263286A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/872;H01L29/868

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.28#公开

摘要：本发明公开了一种具有场拓展阴极结构的SJ‑MPS器件。本发明在传统的SJ‑MPS器件阴极引入RFC结构，导通状态下，低电流密度时，电流主要由肖特基部分组成，由于肖特基势垒低于PN结势垒，正向压降较小，高电流密度时，电流主要由PiN部分组成，由于P+阳极注入效率高，正向压降远低于肖特基二极管；阻断状态下，P+阳极与漂移区形成空间电荷区，屏蔽了肖特基势垒，漏电流较小，与PiN结构相当；在反向恢复时，SJ的横向耗尽加快了器件的反向恢复速度，RFC结构在反向恢复的电流下降阶段向漂移区注入空穴，避免了电流的急剧下降，终端区阴极由P+组成，在正向导通时存储的载流子远低于N+阴极，所以在反向恢复时终端区需要抽取的载流子很少，提高终端区的可靠性。

主权项：1.一种具有场拓展阴极结构的SJ-MPS器件，其特征在于，包括阴极欧姆接触金属1、N+阴极2、P+阴极3、N型缓冲层4、第一导电类型漂移区5、第二导电类型漂移区6、P+阳极7、JTE终端8、N+场截止环9、肖特基接触金属10、阳极欧姆接触金属11和绝缘介质层12；所述N+阴极2和P+阴极3位于阴极欧姆接触金属1的上表面，N+阴极2和P+阴极3构成拓展阴极结构，具体构成方法为：在器件元胞区N+阴极2和P+阴极3按周期交替排列，在器件终端区仅有P+阴极3；所述N型缓冲层4位于N+阴极2和P+阴极3的上表面，所述第一导电类型漂移区5位于所述N型缓冲层4上表面；所述P+阳极7位于所述第一导电类型漂移区5的元胞区上层，呈有间隔的周期排列，所述阳极欧姆接触金属11位于P+阳极7的上表面且与P+阳极7沿器件垂直方向对齐，在呈间断分布的阳极欧姆接触金属11之间的第一导电类型漂移区5上表面具有肖特基接触金属10；所述JTE终端8在第一导电类型漂移区5的终端区上层与P+阳极7接触的一侧，所述N+场截止环9在第一导电类型漂移区5的终端区上层与P+阳极7远离的一侧；所述JTE终端8、N+场截止环9以及JTE终端8和N+场截止环9之间的第一导电类型漂移区5的上表面为绝缘介质层12；所述第二导电类型漂移区6呈间断分布在第一导电类型漂移区5中，且第二导电类型漂移区6分别位于P+阳极7和JTE终端8的下方，并且第二导电类型漂移区6的上表面与JTE终端8的下表面接触，但是第二导电类型漂移区6的上表面与P+阳极7的下表面具有间距。

全文数据：

权利要求：

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