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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要：本发明公开了一种111晶向InSb籽晶制备方法，本发明的InSb籽晶在晶体生长时，可以避免籽晶中杂质溶解至晶体中而导致的掺杂浓度发生不可控的变化，并且本发明还可以有效地减少籽晶中原生位错以及机械加工所产生的位错衍生至晶体中导致晶体中位错密度过高的问题，另外，本发明还可以减小籽晶与籽晶夹具之间的空隙，避免因籽晶与夹具之间空隙过大导致的生长方向与籽晶晶向有偏差的问题，从而保证晶体形状对称，最终获得外形和性能优异的111晶向InSb籽晶。
主权项：1.一种111晶向InSb籽晶制备方法，其特征在于，包括：选取预设低掺Te的InSb晶体段原料，所述晶体段原料满足液氮温度下载流子浓度为3～15×1014cm-3、迁移率≥2×105cm2V·s、导电类型为n型且位错密度≤10cm-2，其中，所述低掺Te为掺Te小于11000；对所述晶体段原料进行径向电学参数、位错分布测试，并对径向电学参数、位错分布满足要求的区域进行标注；按照标注对所述晶体段原料的头部和尾部进行切割，得到111晶向的晶面，并通过调整使得切割后的晶面的晶向满足111±0.1°；根据籽晶夹具的夹持形状对所述晶体段的侧壁进行切割得到籽晶坯，并在所述籽晶坯的侧壁开凿出沟槽，其中，所述沟槽与所述籽晶夹内的凸起相对应，通过切割和开凿出的沟槽，使得所述籽晶坯与所述籽晶夹具相适配，所述籽晶夹具能够稳定夹住所述籽晶坯；对所述籽晶坯的头部进行非选择性腐蚀和冲洗处理，使得籽晶坯头部刚好与籽晶夹匹配，并对所述籽晶坯的尾部进行打磨、选择性腐蚀和冲洗处理，得到处理后的111晶向InSb籽晶坯，并在所述InSb籽晶坯的晶面上进行InSb籽晶生长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种<111>晶向InSb籽晶制备方法
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