龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要：本发明公开了一种InSb晶片制备方法，包括：将晶锭按照固定基准固定后，垂直于晶锭的轴线进行切割，以切出第一InSb晶片；确定第一InSb晶片的晶向，调整切割角度，在切开的所述晶锭，继续切割出第一目标晶向的端面；保持切割机刀片角度，基于所述固定基准旋转晶锭目标角度，执行切割，以获得第二目标晶向的端面；对第二目标晶向的端面进行标记，基于标记后的端面切割出所需的籽晶；基于切割的籽晶进行晶体生长和切割，以获得目标InSb晶片。本公开的方法解决了晶体生长之后因Te元素在晶片中心区域聚集而引起的电学参数分布不均匀的技术难题，从而提高大尺寸InSb晶片有效区域范围内的电学参数的均匀性以及晶片的有效使用面积。
主权项：1.一种InSb晶片制备方法，其特征在于，包括：基于晶锭的生长棱线确定固定基准；将晶锭按照固定基准固定后，垂直于所述晶锭的轴线进行切割，以切出第一InSb晶片；确定所述第一InSb晶片的晶向，并基于所述第一InSb晶片的晶向，调整切割角度，以根据调整后的切割角度，在切开的所述晶锭，继续切割出第一目标晶向的端面，确定Te元素的聚集区在第一目标晶向端面的中心区域；保持切割机刀片角度，基于所述固定基准旋转所述晶锭目标角度，执行切割，以获得第二目标晶向的端面；对所述第二目标晶向的端面进行标记，基于标记后的端面切割出所需的籽晶；基于切割获得的籽晶进行晶体生长和切割，以获得目标InSb晶片；确定所述第一InSb晶片的晶向，并基于所述第一InSb晶片的晶向，调整切割角度包括：对所述第一InSb晶片进行晶向测试；基于所述第一InSb晶片的晶向与第一目标晶向的偏差，确定调整的切割角度；基于切割获得的籽晶进行晶体生长和切割，以获得目标InSb晶片包括：将基于籽晶生长的晶体进行切割，InSb晶体Te元素偏移中心区域、并位于边缘位置，以及，将切割后的晶片的边缘区域去除，以获得目标InSb晶片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种InSb晶片制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号