龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2022-12-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265305A
主分类号：H10B43/35
分类号：H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本公开提供了一种半导体结构、三维存储器、存储系统及电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体结构的栅极层的材料被污染的问题。所述半导体结构包括堆叠结构、隔离结构。堆叠结构具有存储区和连接区。隔离结构包括第一方向延伸的第一栅线隔离结构和沿第二方向延伸的第二栅线隔离结构，第一栅线隔离结构和第二栅线隔离结构连通。第一方向与所述第二方向交叉。第一栅线隔离结构包括位于存储区的第一隔离段。第一隔离段包括交替设置的至少一个第一子部和至少两个第二子部。沿垂直于第一方向的方向上，第一隔离段的第二子部的尺寸大于第一子部的尺寸。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：堆叠结构，具有存储区和连接区；隔离结构，包括沿第一方向延伸的第一栅线隔离结构和沿第二方向延伸的第二栅线隔离结构，所述第一栅线隔离结构和所述第二栅线隔离结构连通；所述第一栅线隔离结构包括位于所述存储区的第一隔离段；所述第一方向与所述第二方向交叉；其中，所述第一隔离段包括相连接的第一子部和第二子部，所述第一子部与所述第二栅线隔离结构连通；沿垂直于所述第一方向的方向上，所述第一子部的尺寸大于所述第二子部的尺寸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体结构、三维存储器、存储系统及电子设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号