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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2022-12-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265304A
主分类号：H10B43/30
分类号：H10B43/30;H10B43/35;H10B43/27
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请实施方式提供一种半导体器件、制备方法及存储系统，半导体器件包括：叠层结构、顶部选择堆叠结构、栅线缝隙结构和第一隔离层。叠层结构包括沿第一方向交替叠置的第一电介质层和栅极导体层，其中栅极导体层沿垂直于第一方向的第二方向延伸。顶部选择堆叠结构设置于叠层结构上，并包括位于远离叠层结构一侧的停止层。栅线缝隙结构沿第一方向贯穿顶部选择堆叠结构和叠层结构。第一隔离层在第二方向设置于停止层与栅线缝隙结构之间，第一隔离层为包含掺杂元素的硅基氧化物或者硅基氮化物，掺杂元素包括碳、硼、镓、磷以及砷中的至少一种。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：叠层结构，包括沿第一方向交替叠置的第一电介质层和栅极导体层，其中所述栅极导体层沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；顶部选择堆叠结构，设置于所述叠层结构上，并包括位于远离所述叠层结构一侧的停止层；栅线缝隙结构，沿所述第一方向贯穿所述顶部选择堆叠结构和所述叠层结构；以及第一隔离层，沿所述第二方向设置于所述停止层与所述栅线缝隙结构之间，所述第一隔离层相对于所述第一电介质层的刻蚀选择比大于1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及制备方法、存储系统
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