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申请/专利权人：苏州清研半导体科技有限公司
申请日：2024-05-30
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118255612A
主分类号：C04B41/87
分类号：C04B41/87
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提出一种碳化钽涂层的制备方法，涉及晶体生长所用涂层的制备领域。该碳化钽涂层的制备方法包括如下步骤：S1、将碳基材料进行表面加热氧化处理后，通过支架进行悬空放置，并且所述支架接地放置；S2、将碳源粉末、钽源粉末分别放入送粉器中，通过送粉器送入料桶中，混合均匀后形成粉体；S3、使用接有高压电的喷枪，将料桶中的粉体通过压缩气体喷出，使粉体流过高压电场后带有静电，并吸附于碳基材料表面；S4、将碳基材料取下后放入加热炉中加热得到具有碳化钽涂层的碳基材料。本申请提供的制备方法能够制备纯度高，致密性良好，结合性能高的碳化钽涂层。
主权项：1.一种碳化钽涂层的制备方法，其特征在于，其制备步骤包括：S1、将碳基材料进行表面加热氧化处理后，通过支架进行悬空放置，并且所述支架接地放置；所述碳基材料表面处理时，通过600-900℃加热并保温0.1-30min，之后在表面镀有0.01-5um氧化钽薄膜；S2、将碳源粉末、钽源粉末分别放入送粉器中，通过送粉器送入料桶中，混合均匀后形成粉体；S3、使用接有高压电的喷枪，将料桶中的粉体通过压缩气体喷出，使粉体流过高压电场后带有静电，并吸附于碳基材料表面；S4、将碳基材料取下后放入加热炉中加热得到具有碳化钽涂层的碳基材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州清研半导体科技有限公司 一种碳化钽涂层的制备方法
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