申请/专利权人：苏州镭明激光科技有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN117415479B

主分类号：B23K26/38

分类号：B23K26/38;B23K26/70;B23K26/067;H01L21/268

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2024.02.06#实质审查的生效;2024.01.19#公开

摘要：本发明公开了一种切割设备、切割方法以及切单系统，属于半导体封装技术领域，其包括用于对晶圆切割的激光加工装置，激光加工装置包括：第一激光加工机构，包括可发出第一激光的第一光源和设置在第一光源出射端的第一光路系统，第一光路系统适于引导第一激光射向晶圆；第二激光加工机构，包括可发出第二激光的第二光源和设置在第二光源出射端的第二光路系统，第二光路系统适于引导第二激光射向晶圆；晶圆包括介质层和基底，第一激光适于切割介质层，第二激光适于经介质层的切割区域对基底进行切割。本发明相较传统的单一激光划片，能够有效避免介质层和基底在切割道处黏连，提高成品率，且也能够极大程度提高切割质量。

主权项：1.一种切割设备，包括用于对晶圆（100）切割的激光加工装置（200），其特征在于，所述激光加工装置（200）包括第一激光加工机构（210）和第二激光加工机构（220）；所述第一激光加工机构（210），包括可发出第一激光的第一光源（211）和设置在所述第一光源（211）出射端的第一光路系统，所述第一光路系统适于引导所述第一激光射向所述晶圆（100）；所述第一光路系统包括：第一光闸（212），位于所述第一光源（211）的出射端；第一半波片（213），位于所述第一光闸（212）的输出端；第一扩束镜（218），位于所述第一半波片（213）的输出端；偏振分光镜（214），位于所述第一扩束镜（218）的输出端，且适于将所述第一激光分成第一分支和第二分支；第一反射结构（215），位于所述偏振分光镜（214）的其中一输出端；第二反射结构（216），位于所述偏振分光镜（214）的另一输出端；第一聚焦结构（217），位于所述第一反射结构（215）和所述第二反射结构（216）的输出端；所述第二激光加工机构（220），包括可发出第二激光的第二光源（221）和设置在所述第二光源（221）出射端的第二光路系统，所述第二光路系统适于引导所述第二激光射向所述晶圆（100）；所述第二光源（221）数量为两个，所述第二光路系统包括：第二光闸（222），数量为两个，且分别位于两所述第二光源（221）的出射端；第二半波片（223），数量为两个，且分别位于两所述第二光闸（222）的输出端；偏振合光镜（224），其两入射端分别用于接收自两所述第二半波片（223）输出的所述第二激光，并合于一束；第二扩束镜（225），位于其中一所述第二半波片（223）和所述偏振合光镜（224）之间；第二聚焦结构（226），位于所述偏振合光镜（224）的输出端；其中，所述晶圆（100）包括介质层（110）和基底（120），所述第一分支和所述第二分支可分别对所述介质层（110）对应所述晶圆（100）切割道的两侧和中部区域进行切割，两所述第二激光经所述第二聚焦结构（226）汇聚形成两高度不同的焦点，以配合经所述介质层（110）的切割区域对所述基底（120）进行切割；所述切割设备还包括适于在切割前对所述晶圆（100）表面涂覆保护液的涂覆装置（400），所述涂覆装置（400）包括：机壳（410），包括涂覆腔（411）和排汽通道（412），所述涂覆腔（411）为可开闭式结构；承载机构（420），包括收容于所述涂覆腔（411）中、且用于承载所述晶圆（100）的旋转台（421）；喷涂机构（430），收容于所述涂覆腔（411）中，且位于所述旋转台（421）上方；导流结构（440），设置在所述涂覆腔（411）靠近底部的位置处，所述导流结构（440）将所述涂覆腔（411）分隔成扰流区域和整流区域，所述排汽通道（412）一端与所述整流区域连通，另一端连接有抽吸结构，所述导流结构（440）响应于所述抽吸结构的抽吸而将所述扰流区域的液雾均匀导入所述整流区域；所述扰流区域位于所述整流区域上方，所述涂覆腔（411）底部形成有用于收集废液的环形槽（4111），所述导流结构（440）设置在所述环形槽（4111）的槽口处，所述整流区域由所述环形槽（4111）和所述导流结构（440）配合形成；所述导流结构（440）包括：安装环（441），固定收容于所述环形槽（4111）中，导流片（442），与所述安装环（441）固定连接，所述导流片（442）数量有多个，且沿着所述安装环（441）的周向间隔均匀布置，多个所述导流片（442）覆盖在所述环形槽（4111）的槽口处，相邻两所述导流片（442）之间形成抽气间隙。

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