申请/专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司

申请日：2022-04-30

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN114880187B

主分类号：G06F11/30

分类号：G06F11/30

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2022.08.26#实质审查的生效;2022.08.09#公开

摘要：本申请公开了一种监控VR芯片异常状态的方法、装置以及介质，应用于电子电路领域。该方法通过监控PowerEnable和PWRGD的电平状态来确定VR芯片异常掉电的情况。在触发启动条件后，启动异常掉电确认机制以避免对VR芯片的异常掉电进行误记录；其中，启动条件包括监控到PowerEnable变为低电平和或监控到在PowerEnable为高电平的情况下，PWRGD变为低电平；而异常掉电确认机制用于加快主板的放电速度和或确认VR芯片的掉电是否为异常掉电；最后根据异常掉电机制的结果对VR芯片的异常掉电进行记录，本申请提供的方法可以避免对异常掉电的误记录。

主权项：1.一种监控VR芯片异常状态的方法，其特征在于，包括：监控PowerEnable和PWRGD的电平状态；在触发启动条件后，启动异常掉电确认机制以避免对所述VR芯片的异常掉电进行误记录；其中，所述启动条件包括监控到所述PowerEnable变为低电平和或监控到在所述PowerEnable为高电平的情况下，所述PWRGD变为低电平；所述异常掉电确认机制用于加快主板的放电速度和或确认所述VR芯片的掉电是否为异常掉电；根据所述异常掉电机制的结果对所述VR芯片的异常掉电进行记录；所述在触发启动条件后，启动异常掉电确认机制以避免对所述VR芯片的异常掉电进行误记录包括：在监控到所述PowerEnable变为低电平后，控制所述VR芯片接地用于加快所述主板的放电速度；所述在触发启动条件后，启动异常掉电确认机制以避免对所述VR芯片的异常掉电进行误记录包括：在监控到在所述PowerEnable为高电平的情况下，所述PWRGD变为低电平，则启动所述异常掉电确认机制用于确认所述VR芯片的掉电是否为异常掉电；所述异常掉电确认机制包括：至所述PWRGD变为低电平起的预设时间段内对所述PWRGD进行监控；所述根据所述异常掉电机制的结果对所述VR芯片的异常掉电进行记录包括：判断所述预设时间段内所述PWRGD是否变为高电平；若是，则判定所述VR芯片的掉电不是异常掉电；若否，则判定所述VR芯片的掉电是异常掉电，并记录所述VR芯片的异常掉电；所述VR芯片通过MOS管接地；所述在监控到所述PowerEnable变为低电平后，控制所述VR芯片接地用于加快所述主板的放电速度包括：在监控到所述PowerEnable变为低电平后，控制所述MOS管导通。

全文数据：

权利要求：

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