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多光谱成像芯片、多光谱成像组件、制备方法及移动终端 

申请/专利权人:广州睿芯微电子有限公司

申请日:2022-06-02

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN115000107B

主分类号:H01L27/146

分类号:H01L27/146

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.28#授权;2022.09.20#实质审查的生效;2022.09.02#公开

摘要:本发明公开了一种多光谱成像芯片、多光谱成像组件、制备方法及移动终端。该芯片包括:微透镜结构层;超表面滤波结构层;图像探测器层;其中,超表面滤波结构层,从上到下包括依次堆叠的保护层、金属光栅层、波导层和基底层。通过本发明,解决了在大视场角光学成像时频谱偏移大,光能利用率比较低的问题,提高了大视场角场景下的光能利用率。

主权项:1.一种多光谱成像芯片,其特征在于,包括:微透镜结构层;超表面滤波结构层;图像探测器;其中,所述超表面滤波结构层,从上到下包括依次堆叠的保护层、金属光栅层、波导层和基底层;其中,通过如下公式确定所述多光谱成像芯片的重构入射光谱Preconstruction:Preconstruction=[MTM+αMTQTQM-1MTS]T*V其中,测量矩阵M为纳米结构滤波层的像元透过率T与所述图像探测器的量子效率ηQE的乘积,即M=T*ηQE,拉普拉斯矩阵Q为一阶或二阶拉普拉斯矩阵,理想高斯转化矩阵S为构造的理想高斯分布曲线,所述理想高斯分布曲线半峰宽和中心波长间隔可依据光谱通道特征调整,平滑因子α为去噪声平滑因子项,不需要去噪声时α为零,DN值V为入射光谱经过所述图像探测器的滤波单元后的灰度值与当前参数及环境下所述图像探测器的暗噪声值的差值;所述超表面滤波结构层中所述金属光栅层由单元结构组成,所述单元结构被设置为不同周期,来适配不同波长的光入射。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 广州睿芯微电子有限公司 多光谱成像芯片、多光谱成像组件、制备方法及移动终端

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