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一种FeOOH/In-BiVO4(L)光电阳极材料及其制备方法和应用 

申请/专利权人:山东大学

申请日:2022-09-15

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN115611373B

主分类号:C02F1/461

分类号:C02F1/461;C02F1/463;C02F1/30

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.28#授权;2023.02.10#实质审查的生效;2023.01.17#公开

摘要:本发明公开了一种FeOOHIn‑BiVO4L光电阳极材料及其制备方法和应用,包括如下步骤:将清洁FTO导电玻璃浸渍在铋盐、I‑和对苯醌的混合溶液中,采用电沉积方式获得BiOI电极;在BiOI电极表面涂覆乙酰丙酮氧钒的二甲基亚砜溶液,煅烧得BiVO4电极;在BiVO4电极表面旋涂InNO33溶液,煅烧得In‑BiVO4电极;将In‑BiVO4电极浸入KBi溶液,加光照加偏压得到In‑BiVO4L电极;将In‑BiVO4L电极浸渍在氯化铁溶液中8‑12h,然后转移至氯化铁和N,N‑二甲基甲酰胺的混合溶液中,水热法制备FeOOHIn‑BiVO4L光阳极。

主权项:1.一种FeOOHIn-BiVO4L光电阳极材料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:将清洁FTO导电玻璃浸渍在铋盐、I-和对苯醌的混合溶液中,采用电沉积方式获得BiOI电极;在BiOI电极表面涂覆乙酰丙酮氧钒的二甲基亚砜溶液,煅烧得BiVO4电极;在BiVO4电极表面旋涂InNO33溶液,煅烧得In-BiVO4电极;将In-BiVO4电极浸入KBi溶液,加光照加偏压得到In-BiVO4L电极;将In-BiVO4L电极浸渍在氯化铁溶液中8-12h,然后转移至氯化铁和N,N-二甲基甲酰胺的混合溶液中,水热法制备FeOOHIn-BiVO4L光阳极;加光照加偏压得到In-BiVO4L电极,所述光照的光强为80-150mWcm-2,施加的偏压为0.5-1V,施加偏压的时间为1.5-2.5h。

全文数据:

权利要求:

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