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申请/专利权人：广州天赐高新材料股份有限公司
申请日：2022-11-14
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN115745424B
主分类号：C03C17/38
分类号：C03C17/38;G01N21/64;C08G61/12;C25D5/54;C25D3/22;C25D9/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2023.03.24#实质审查的生效;2023.03.07#公开
摘要：本发明公开了多孔导电聚合物材料及其制备方法和应用。所述多孔导电聚合物材料包括金属多孔薄膜以及附着在所述金属多孔薄膜的多孔结构表面的导电聚合物薄膜；所述导电聚合物薄膜具有源自电聚合单体的聚合链段结构，所述电聚合单体的结构式为AmBn。所述多孔导电聚合物材料表现出更强的荧光强度，具有很好的检测性能。
主权项：1.多孔导电聚合物材料在作为荧光探针中的应用，其特征在于：所述多孔导电聚合物材料包括金属多孔薄膜以及附着在所述金属多孔薄膜的多孔结构表面的导电聚合物薄膜；所述导电聚合物薄膜具有源自电聚合单体的聚合链段结构，所述电聚合单体的结构式为AmBn；其中：A为核心单元，包括、中的任意一种或两种，R1、R2、R3和R4各自独立的选自H、C2-6烯烃基、C2-6炔烃基中的一种；B为电活性单元，包括、、、、、、中的任意一种或多种，其中，Ra1、Ra2、Rb1、Rb2、Rc1和Rc2各自独立的选自H、C1-6烷烃基、C2-6烯烃基、C2-6炔烃基中的一种；所述C1-6烷烃基、C2-6烯烃基和C2-6炔烃基各自独立地未被取代或被卤素、羟基、氨基、C1-4烷氧基、C1-4羧基烷基中的任意基团一取代或多取代；m为1-10，n为3-30；所述金属多孔薄膜中的多孔结构的孔径为20-2000nm；所述金属多孔薄膜的厚度为20-2000nm；所述金属多孔薄膜中的多孔结构有序排布，即所述金属多孔薄膜为有序多孔薄膜；所述金属多孔薄膜中的金属包括但不限于锌、铜、铬、镍能通过电镀方式在基底形成致密且连续的金属层及具有MEF效应的金属；所述A与B以任意顺序连接；所述导电聚合物薄膜的厚度小于金属多孔薄膜中的多孔结构的孔径。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州天赐高新材料股份有限公司 多孔导电聚合物材料及其制备方法和应用
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