龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中国矿业大学
申请日：2024-04-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118083956B
主分类号：C01B32/10
分类号：C01B32/10;H01M4/583;H01M4/587;H01M4/62;H01M4/36;H01M6/14
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：本发明属于氟化碳材料技术领域，公开了表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用。所述制备方法为：于惰性气氛中，将氟化碳和氮源混合后进行研磨处理，获得混合物；于惰性气氛中，将所述混合物于200~500℃下进行热处理，即获得表面具有高导电结构缺陷的氟化碳。本发明通过将氟化碳和氮源研磨后进行热处理，使氮源在热处理过程中分解产生气体，成功制备出表面高导电结构缺陷的氟化碳，降低了表面C‑F共价键和C‑F2\C‑F3非活性基团，形成了高导电石墨畴界面，引入适当的缺陷和氮掺杂，显著提升氟化碳的离子电子导电性，降低锂氟化碳一次电池的初始电压滞后性，提高放电电压平台。
主权项：1.一种表面具有高导电结构缺陷的氟化碳的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：于惰性气氛中，将氟化碳和氮源混合后进行研磨处理，获得混合物；其中，所述氮源为尿素、碳酸氢铵、硫脲、过硫酸铵、硫酸铵、氯化铵和三聚氰铵中的一种或多种；于惰性气氛中，将所述混合物于200~500℃下进行热处理，即获得表面具有高导电结构缺陷的氟化碳。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国矿业大学 表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号