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申请/专利权人：中芯集成电路(宁波)有限公司
申请日：2019-07-19
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN112039456B
主分类号：H03H3/02
分类号：H03H3/02;H03H3/04;H03H9/17
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2020.12.22#实质审查的生效;2020.12.04#公开
摘要：本发明提供一种体声波谐振器的封装方法及封装结构，形成具有第二空腔的分子吸附力键合层于所述谐振腔主体结构的表面上，所述第二空腔和所述第一空腔至少部分对准，以暴露出至少部分所述体声波谐振结构，再将第二衬底通过该分子吸附力键合层与谐振腔主体结构直接键合，之后可以形成穿过第二衬底和分子吸附力键合层的导电互连层。由于先在所述谐振腔主体结构的表面上形成了具有第二空腔的分子吸附力键合层，因此能容忍谐振腔主体结构上的体声波谐振结构在第一空腔外围的区域上具有一定的台阶高度差异，并能够利用分子吸附力键合层和第二衬底之间产生的分子吸附力来提高体声波谐振器的结构的稳定性和可靠性。
主权项：1.一种体声波谐振器的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：提供谐振腔主体结构，所述谐振腔主体结构包括第一衬底以及形成在所述第一衬底上的体声波谐振结构，所述第一衬底和所述体声波谐振结构之间形成有第一空腔；形成键合面光滑平坦并具有第二空腔的分子吸附力键合层于所述谐振腔主体结构的表面上，且所述第二空腔位于所述体声波谐振结构的顶部上方并和所述第一空腔至少部分对准，以暴露出至少部分所述体声波谐振结构；提供键合面光滑平坦的第二衬底，并使所述第二衬底的键合面与所述分子吸附力键合层的键合面直接接触或距离足够近，以在所述分子吸附力键合层和所述第二衬底之间产生分子吸附力，进而通过所述分子吸附力将所述第二衬底键合到所述分子吸附力键合层上；形成穿过所述第二衬底和所述分子吸附力键合层的穿通孔，所述穿通孔暴露出所述体声波谐振结构的相应的电连接部；以及，形成导电互连层于所述穿通孔的表面以及所述穿通孔外围的部分所述第二衬底的表面上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯集成电路(宁波)有限公司 体声波谐振器的封装方法及封装结构
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