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申请/专利权人：桂林电子科技大学
申请日：2024-04-03
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118300379A
主分类号：H02M1/00
分类号：H02M1/00;H02M1/08;H02M1/32;H02M1/14;H02M3/335
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明提供的是一种基于第三代半导体氮化镓芯片的开关电源。具体包括整流电路、滤波电路、控制电路、反馈控制电路。本发明提供了一个将85V‑265V交流电整流、滤波后，通过功率控制芯片输出PWMPulsewidthmodulation波控制氮化镓功率管，在氮化镓功率管和变压器共同作用下进行功率转换，利用反馈电路实现稳定输出12V电压和5A电流的转换装置并且具有短路保护、过流保护和过压保护的功能。本电路采用第三代半导体氮化镓的MOS管Metal‑Oxide‑SemiconductorField‑EffectTransistor具有高性能、寿命长、体积小、功耗低等特点，能够对低效率的充电器进行改善，满足不同设备快速充电需求。
主权项：1.一种基于第三代半导体氮化镓芯片的开关电源。其特征是在于控制电路、反馈控制电路，其中：所述的控制电路8包括控制芯片U3、氮化镓MOS管Q1，所述的控制芯片U3的6管脚与氮化镓MOS管Q1的栅极相连；所述的反馈控制电路9包括光耦芯片U4和稳压芯片U6,所述的光耦芯片U4的1号管脚与电阻R10相连，光耦芯片的2号管脚与稳压芯片U6的3号管脚相连，光耦芯片U4的3号管脚接地，光耦芯片的4号管脚与控制芯片U3的2号管脚相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桂林电子科技大学 一种基于第三代半导体氮化镓芯片的开关电源
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