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电容可调耦合单元 

申请/专利权人:中国科学院物理研究所

申请日:2022-06-23

公开(公告)日:2024-07-09

公开(公告)号:CN115238901B

主分类号:G06N10/40

分类号:G06N10/40

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.07.09#授权;2022.11.11#实质审查的生效;2022.10.25#公开

摘要:本发明提供一种电容可调耦合单元,其包括:第一量子比特、第二量子比特、可调耦合器以及第一旁路电容;其中,所述第一量子比特和所述可调耦合器均电容耦合至所述第一旁路电容的第一极,所述第一旁路电容的第二极接地,以及所述第二量子比特电容耦合至所述可调耦合器。

主权项:1.一种电容可调耦合单元,其包括:第一量子比特、第二量子比特、可调耦合器以及第一旁路电容;其中,所述第一量子比特和所述可调耦合器均电容耦合至所述第一旁路电容的第一极,所述第一旁路电容的第二极接地,以及所述第二量子比特电容耦合至所述可调耦合器;其中,所述第一量子比特、所述第二量子比特、所述可调耦合器采用接地型transmon形式或浮地型transmon形式。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院物理研究所 电容可调耦合单元

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