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申请/专利权人：上海科技大学
摘要：本发明涉及一种利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法，包括由磁致伸缩材料和压电材料所构成的复合结构磁电耦合器件，根据交变的磁场在磁电耦合器件产生幅值最大的交变电压时的磁场，在磁电耦合器件周围设计提供直流偏置磁场的永磁体分布位置，使得磁电耦合器件工作在最佳直流偏置磁场中。使用永磁体安放在磁电耦合器件周围，提供适当的直流偏置磁场，提高了磁电耦合系数并提高了磁电耦合器件的性能。相比于传统的使用电磁铁和亥姆霍兹线圈的方法来提高磁电耦合系数，本发明大大缩小了器件的尺寸，使其能够应用于便携设备之中。
主权项：1.一种利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法，包括由磁致伸缩材料和压电材料所构成的复合结构磁电耦合器件，其特征在于，对压电材料施加电压，磁电耦合器件磁场强度曲线的斜率最高的地方为磁电耦合器件的最佳工作点，此时交变的磁场产生幅值最大的交变电压，对磁电耦合器件施加此点所对应的直流偏置磁场，磁电耦合系数将达到最大；在磁电耦合器件一个磁致伸缩材料远离压电材料的一面或两个磁致伸缩材料远离压电材料的一面安放永磁体来提供直流偏置磁场，使得磁致伸缩材料作用于压电材料的形变变化率达到最大，从而提高磁电耦合器件的磁电耦合系数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海科技大学 利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法
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