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申请/专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
摘要：本发明提供了用于屏障层应用的化学机械平面化CMP抛光组合物，特别是用于改善芯片内不均匀性WID‑NU。所述CMP抛光组合物含有浓度等于和或大于≥2.0重量％的磨料；平面化剂，其选自环氧乙烷、环氧丙烷、环氧丁烷、其聚合物、其衍生物及其组合，其中所述聚合物具有介于10道尔顿至5百万道尔顿，优选50道尔顿至1百万道尔顿之间的分子量；腐蚀抑制剂；水溶性溶剂；以及任选地，速率增强剂、pH调节剂、氧化剂和螯合剂。
主权项：1.一种屏障化学机械平面化（CMP）抛光组合物，其包含：≥2.0重量%的包含二氧化硅的磨料；0.005重量%至2.0重量%的平面化剂，其中所述平面化剂选自环状寡糖；聚环氧丙烷，所述聚环氧丙烷具有50道尔顿至1百万道尔顿范围内的分子量；TergitolTM15s9;TergitolTM15s7;ZetasperseTM179;Tween®20;Pluronic®F-108;Surfyol®485;Surfyol®465;DynolTM801;DynolTM980;Rhodafac®ASI80;及其组合；腐蚀抑制剂；水溶性溶剂，其中所述水溶性溶剂选自去离子水、极性溶剂以及去离子水和极性溶剂的混合物；其中所述极性溶剂选自醇、醚和酮；0.005重量%至2.0重量%的润湿剂，其中所述润湿剂包含炔属二醇表面活性剂；任选地速率增强剂；pH调节剂；氧化剂；以及螯合剂；其中所述抛光组合物具有7至12的pH；所述抛光组合物不含水溶性铝化合物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 弗萨姆材料美国有限责任公司 平面化中的芯片内不均匀性（WID-NU）
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