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存储器电路以及存储器版图 

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申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

摘要:本公开实施例提供一种存储器电路以及存储器版图,存储器版图包括:包括多个放大单元的放大模块;每一放大单元包括:第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管;两个第一晶体管组成一个第一晶体管组,多个第一晶体管组沿第一方向排布;与第一晶体管相连接的第二晶体管和第三晶体管组成一个第二晶体管组,第一晶体管组沿第二方向上的相对两侧均设置有一第二晶体管组,且沿第二方向上,第一晶体管组的两个第一晶体管中,一个第一晶体管与相邻一侧的第二晶体管组内的第二晶体管和第三晶体管相连接,另一个第一晶体管与相邻另一侧的第二晶体管组内的第二晶体管和第三晶体管相连接,第二方向垂直于第一方向。本公开实施例至少有利于提升存储器的性能。

主权项:1.一种存储器电路,其特征在于,包括:放大模块,所述放大模块包括多个元件相同的放大单元,每一所述放大单元串接于对应的一组本地数据线和本地互补数据线之间,以放大所述本地数据线和所述本地互补数据线之间的电压差;每一所述放大单元包括:第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管,其中,所述第一晶体管的源极用于接收供电电压,所述第一晶体管的栅极用于接收读出控制信号,所述第一晶体管的漏极分别与所述第二晶体管的源极以及所述第三晶体管的源极相连接,所述第二晶体管的漏极与所述本地数据线相连接,所述第三晶体管的漏极与所述本地互补数据线相连接,且所述第二晶体管的漏极与所述第三晶体管的栅极相连接,所述第三晶体管的漏极与所述第二晶体管的栅极相连接。

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