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申请/专利权人：深圳真茂佳半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种自调节型宽SOA器件及其制作方法和电路，漏极衬底和有源层，漏极衬底上形成有多个第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽相互间隔且交错设置，每个第一沟槽内均形成有第一隔离栅电极，每个第二沟槽内均形成有第二隔离栅电极；有源层形成于漏极衬底，且包括位于第一沟槽和第二沟槽两侧的沟道区；第一隔离栅电极能使第一沟槽两侧的沟道区导通，第二隔离栅电极能使第二沟槽两侧的沟道区导通；或者，第一隔离栅电极能使第一沟槽两侧的沟道区导通，第二隔离栅电极能使第二沟槽两侧的沟道区截止。本申请在漏极处于高电平状态时，减轻由于高电压引起的电流冲击，达到保护器件的目的；在漏极处于低电平状态时，减小了整个器件的导通电阻，减少器件功率损失，提高能效的目的。
主权项：1.一种自调节型宽SOA器件，其特征在于，包括：漏极衬底，所述漏极衬底上形成有多个第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽相互间隔且交错设置，每个所述第一沟槽内均形成有第一隔离栅电极，每个所述第二沟槽内均形成有第二隔离栅电极；有源层，所述有源层形成于所述漏极衬底，且包括位于所述第一沟槽和所述第二沟槽两侧的沟道区；其中，所述第一隔离栅电极能使所述第一沟槽两侧的沟道区导通，所述第二隔离栅电极能使所述第二沟槽两侧的沟道区导通；或者，所述第一隔离栅电极能使所述第一沟槽两侧的沟道区导通，所述第二隔离栅电极能使所述第二沟槽两侧的沟道区截止。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳真茂佳半导体有限公司 自调节型宽SOA器件及其制作方法和电路
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