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一种低金属离子残留芯片CMP后清洗剂及制备方法与应用 

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申请/专利权人:浙江奥首材料科技有限公司

摘要:本发明涉及一种低金属离子残留芯片CMP后清洗剂及制备方法与应用。所述的清洗剂按照重量份计算,包括如下组分:功能剂8‑35份;螯合剂5‑15份;pH调节剂5‑20份;缓蚀剂0.1‑1份;水30‑70份。本发明采用高化学稳定性的三蝶烯对称碳架结构作为功能剂,通过功能剂和螯合剂二者组合,达到高效清洗铜晶圆片表面残留物,快速溶解金属氧化物的效果。本发明的清洗剂环保、无污染、且挥发损耗小,对环境和人体无伤害。

主权项:1.一种低金属离子残留芯片CMP后清洗剂,其特征在于,按照重量份计算,包括如下组分: 其中,所述的功能剂为三蝶烯化合物;所述的螯合剂为糖基磷酸酯化合物;所述的缓蚀剂为含杂原子的杂环类化合物。

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权利要求:

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