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申请/专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种功率器件、功率器件的制作方法，功率器件包括：衬底，包括相对的第一表面和第二表面；以及原胞结构，位于衬底的第一表面，其中原胞结构包括：沟槽，沟槽在第一表面上呈多边形延伸，从而具有拐角区域以及非拐角区域；栅绝缘层，覆盖沟槽内壁；栅极，填充于沟槽；阱区，阱区位于沟槽延伸围合的区域内，并且阱区的周边与沟槽邻接；以及第一重掺杂区，第一重掺杂区位于阱区且与沟槽邻接，栅极具有预设电压能使第一重掺杂区与漂移层之间的阱区形成沟道，其中，沟道避位沟槽的拐角区域设置。根据本发明实施例的功率器件，保证原胞结构中剩余的与沟槽的非拐角区域邻接的各处沟道的开启一致，提高功率器件的可靠性。
主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底，包括相对的第一表面和第二表面，所述衬底包括位于所述第一表面所在侧的漂移层，所述漂移层配置为第一导电类型；以及原胞结构，位于所述衬底的第一表面，其中所述原胞结构包括：沟槽，位于所述第一表面，所述沟槽在所述第一表面上呈多边形延伸，从而具有拐角区域以及非拐角区域；栅绝缘层，覆盖所述沟槽内壁；栅极，填充于所述沟槽；阱区，配置为第二导电类型，所述阱区位于所述漂移层上，所述阱区位于所述沟槽延伸围合的区域内，并且所述阱区的周边与所述沟槽邻接；以及第一重掺杂区，配置为所述第一导电类型的重掺杂区，所述第一重掺杂区位于所述阱区且与所述沟槽邻接，所述第一重掺杂区与所述沟槽的所述非拐角区域邻接且避开所述拐角区域设置；第二重掺杂区，配置为所述第二导电类型的重掺杂区，所述第二重掺杂区位于所述阱区，所述第二重掺杂区包括中心子区和周边子区，所述中心子区位于所述第一重掺杂区的背离所述沟槽侧，所述周边子区与所述中心子区连接且与所述沟槽的拐角区域邻接设置；其中，所述栅极具有预设电压能使所述第一重掺杂区与所述漂移层之间的所述阱区形成沟道，其中，所述沟道避位所述沟槽的拐角区域设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 瑞能半导体科技股份有限公司 功率器件、功率器件的制作方法
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