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申请/专利权人：广东先导微电子科技有限公司
摘要：本发明提供一种三乙基镓的纯化方法，包括：（1）将物质A加入含杂质Si的三乙基镓中，并进行反应，得到络合物；所述物质A为三正辛胺、三乙胺和三甲胺中的一种或两种以上；（2）将络合物与溶剂B混合搅拌，静置分层，收集下层液体，得到纯化的络合物；所述溶剂B为正己烷、正戊烷和环己烷中的一种或两种以上；（3）所述纯化的络合物经常压蒸馏除去溶剂B，再进行减压蒸馏，得到纯化的三乙基镓。该纯化方法所需原料价廉易得，通过简便的路线可将三乙基镓中的Si杂质去除干净，得到高纯的三乙基镓。
主权项：1.一种三乙基镓的纯化方法，其特征在于，包括：（1）将物质A加入含杂质Si的三乙基镓中，进行反应，得到待净化的络合物；所述物质A为三正辛胺、三乙胺和三甲胺中的一种或两种以上；（2）将所述待净化的络合物与溶剂B混合搅拌，静置分层，收集下层液体，得到纯化的络合物；所述溶剂B为正己烷、正戊烷和环己烷中的一种或两种以上；（3）所述纯化的络合物经常压蒸馏除去溶剂B，再进行减压蒸馏，得到纯化的三乙基镓。
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权利要求：
百度查询： 广东先导微电子科技有限公司 一种三乙基镓的纯化方法
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