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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明公开了一种低热阻氮化镓器件结构。所述器件结构包括隔离层、有源层和介质插槽阵列；有源层位于隔离层上表面，隔离层的宽度大于有源层，形成凸台结构；有源层上表面的两端分别连接源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间的势垒层上表面淀积栅极金属，形成栅电极；在栅电极与漏电极之间的有源层中设置有插槽阵列，插槽阵列中包括多个排成一列的插槽，插槽中填充有介质材料；本发明通过引入介质插槽阵列，使得器件在不降低器件饱和时电流输出能力的条件下，实现了近50℃器件峰值温度的降低，同时得到了温度分布高度均匀的温区，可用于解决HEMT功率电子器件由高温引起的自热效应等可靠性问题。
主权项：1.一种低热阻氮化镓器件结构，其特征在于，包括隔离层1、有源层2、源电极3、漏电极4、栅电极5和介质插槽阵列6以及钝化层7；隔离层1包括从下至上顺次层叠的衬底01、成核层02和缓冲层03；有源层2包括从下至上顺次层叠的本征层04、插入层05和势垒层06；有源层2位于隔离层1上表面，隔离层1的宽度大于有源层2，形成凸台结构；有源层2上表面的两端分别连接源电极3和漏电极4；在源电极3和漏电极4之间的势垒层2上表面淀积栅极金属，形成栅电极5；在栅电极5与漏电极4之间的有源层2中设置有插槽阵列6，插槽阵列6中包括多个排成一列的插槽，插槽阵列6中的插槽向下延伸越过势垒层06和插入层05进入本征层04，插槽中填充有介质材料；有源层2上表面除连接源电极3、漏电极4和栅电极5的位置，均覆盖有钝化层7，用于保护有源层2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种低热阻氮化镓器件结构
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