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一种氧化镓异质结构及其制备方法、光电传感器 

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申请/专利权人:深圳大学

摘要:本发明公开了一种氧化镓异质结构及其制备方法、光电传感器。氧化镓异质结构的制备方法,包括:在衬底的表面制备金属层;在所述金属层的表面制备非晶氧化镓薄膜,对所述非晶氧化镓薄膜进行低温退火处理,得到氧化镓异质结构。所述金属锌层一方面可以促进氧化镓结晶,使其在较低退火温度条件下形成α相和β相;另一方面,退火过程中金属锌会氧化形成氧化锌并与氧化镓形成异质结构,进一步提高光电传感器的性能。本发明所提供的制备方法降低了氧化镓结晶的退火温度,简化了传感器的制备工艺,提高了传感器的光电性能。

主权项:1.一种氧化镓异质结构的制备方法,其特征在于,包括:在衬底的表面制备金属层,所述金属层的材质为锌或钽;在所述金属层的表面制备非晶氧化镓薄膜,对所述非晶氧化镓薄膜进行退火处理,得到氧化镓异质结构。

全文数据:

权利要求:

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