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申请/专利权人：山东大学;山东大学深圳研究院
摘要：本发明涉及一种垂直型氮化镓FinFET器件及其制备方法。由下自上依次包括漏极、n+‑GaN衬底和n‑‑GaN漂移层；所述n‑‑GaN漂移层呈凸字形，包括凸起部和水平部；所述n‑‑GaN漂移层凸起部上方设置有n+‑GaN源极层，n‑‑GaN漂移层水平部两端设置有肖特基二极管阳极；所述n‑‑GaN漂移层水平部和肖特基二极管阳极上方依次设置有AlGaN层、第一SiO2介质层、栅极介质层、栅极电极、第二SiO2介质层和源极。该垂直型氮化镓FinFET器件消除了反并联一个外接SBD的需要，从而减小了封装体积，减少了外部金属互联。并且AlGaN层与n‑‑GaN漂移层产生2DEG会极大程度的促进电流在水平面的延展，降低器件的导通电阻，可以有效地促进电流在水平方向上的延展。
主权项：1.一种垂直型氮化镓FinFET器件，其特征在于，由下自上依次包括漏极、n+-GaN衬底和n--GaN漂移层；所述n--GaN漂移层呈凸字形，包括凸起部和水平部；所述n--GaN漂移层凸起部上方设置有n+-GaN源极层，n--GaN漂移层水平部两端设置有肖特基二极管阳极；所述n--GaN漂移层凸起部由内向外依次设置有AlGaN层、栅极介质层、栅极电极、第二SiO2介质层和源极；所述n--GaN漂移层水平部和肖特基二极管上方依次设置有AlGaN层、第一SiO2介质层、栅极介质层、栅极电极、第二SiO2介质层和源极；所述n+-GaN源极层上方和侧面设置有源极；所述n--GaN漂移层和肖特基二极管阳极之间形成肖特基接触，构成肖特基二极管；所述n--GaN漂移层水平部和AlGaN层之间形成二维电子气。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 山东大学深圳研究院 一种垂直型氮化镓FinFET器件及其制备方法
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