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形成液态硅的装置和方法 

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申请/专利权人:施米德硅晶片科技有限责任公司

摘要:本发明涉及形成液态硅的装置,其包括用于将气体转化为高度加热的状态的设备,在该状态下所述气体至少部分以等离子体的形式存在。所述高度加热的气体引入反应空间100,在那里其与气态或颗粒状的含硅原料接触。该含硅原料通过具有直接通入反应空间100的喷嘴通道103的喷嘴102供应到反应空间100中。同时,将惰性气体引入反应空间100,以使得其保护喷嘴通道103的通入孔口103a免受源于高度加热的气体的热负荷。

主权项:1.形成液态硅的装置,其具有下列特征a.所述装置包括设备,借助所述设备使得气体可以转化为高温状态,在该状态下其至少部分以等离子体的形式存在,和b.所述装置包括反应空间100和进料管线101,所述进料管线用于使所述高温气体进入反应空间100,和c.所述装置包括具有喷嘴通道103的喷嘴102,所述喷嘴通道直接通入反应空间100并通过所述喷嘴通道可以将气态或颗粒状的含硅原料供应到反应空间100中,以及还具有下列附加的特性特征d.所述装置包括设备104,所述设备使得能够将惰性气体引入反应空间100,以使得所述惰性气体保护喷嘴通道103的通入孔口103a免受源于所述高温气体的热负荷,和e.所述反应空间100包括可用于使气态硅从反应空间100排出的出口107,和f.所述出口107直接或间接通入至少两个彼此平行布置且在重力方向上锥形变细的冷凝室。

全文数据:

权利要求:

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