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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的金属导电层以及覆盖所述金属导电层的介质层；形成至少贯穿所述介质层且暴露所述金属导电层的通孔；在第一温度下沉积第一阻挡材料于所述通孔内，形成位于所述通孔的内壁上的第一通孔阻挡层；在第二温度下沉积所述第一阻挡材料于所述通孔内，形成覆盖所述第一通孔阻挡层的第二通孔阻挡层，且所述第二温度高于所述第一温度；形成填充于所述通孔内且覆盖所述第二通孔阻挡层的金属互联层。本发明避免了通孔内形成的金属互联结构发生RC异常问题，从而改善了金属互联结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的金属导电层以及覆盖所述金属导电层的介质层；形成至少贯穿所述介质层且暴露所述金属导电层的通孔；在第一温度下沉积第一阻挡材料于所述通孔内，形成位于所述通孔的内壁上的第一通孔阻挡层；在第二温度下沉积所述第一阻挡材料于所述通孔内，形成覆盖所述第一通孔阻挡层的第二通孔阻挡层，且所述第二温度高于所述第一温度；形成填充于所述通孔内且覆盖所述第二通孔阻挡层的金属互联层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构及其形成方法
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