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一种三维景深触觉传感器及其制备方法和应用 

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申请/专利权人:中国科学院深圳先进技术研究院

摘要:本发明公开了一种三维景深触觉传感器及其制备方法和应用。三维景深触觉传感器包括介电层和导电层;介电层为掺杂有纳米颗粒的聚合物;导电层设置于介电层的至少一个表面上。制备方法包括以下步骤:1制备纳米颗粒‑聚合物复合薄膜介电层:将纳米颗粒超声分散于聚合物溶液中,固化成膜;2制备导电层:在步骤1得到的复合薄膜的表面图案溅射金属制备导电层。本发明基于静电相互作用和电荷转移原理,将外界物体靠近‑远离的运动行为与感知电信号建立相应的逻辑关系,该传感器制备方法简单,且对外界非接触物体运动刺激响应灵敏迅速。

主权项:1.一种三维景深触觉传感器,其特征在于,所述三维景深触觉传感器包括介电层和导电层;所述介电层为掺杂有纳米颗粒的聚合物;所述导电层设置于所述介电层的至少一个表面上;所述聚合物为聚乙烯-醋酸乙烯酯;所述介电层的厚度为50~300μm;所述掺杂有纳米颗粒的聚合物中的纳米颗粒的掺杂量为4~16wt%;所述导电层的厚度为30~100nm;所述三维景深触觉传感器为非接触式传感器,利用电场对介电层的极化作用及介电-导电异质界面的电荷传输作用,将外界物体靠近-远离的运动行为与感知电信号建立相应的逻辑关系;所述逻辑关系如下:输出电动势信号的正负特征、峰值和感知频率能够对外界物体的非接触景深机械运动进行定性和定量表征;调节介电层的介电常数能够改变感知电动势;关于相对介电常数的方程如下: 其中,U为电势,E为电场强度,D为电位移,εr为相对介电常数,ε0为绝对介电常数,d表示运动物体与感知表面之间的垂直距离。

全文数据:

权利要求:

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