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申请/专利权人：株式会社SK电子

摘要：本发明提供一种光掩模的制造方法以及光掩模，与以往的光掩模的制造方法相比，能够实现光掩模的进一步的高精细化。其中，光掩模的图案的第二区域的边缘位置半透膜3的边缘位置并非基于上层膜图案的第二图案4B的、与第一图案4A相反的一侧的边缘位置来确定，而是基于上层膜图案的第二图案4B的、位于第一图案4A的一侧的边缘位置来确定。由此，上层膜图案的第二图案4B的宽度不是设定第二区域的宽度半透膜3的露出部分的宽度时的因素。因此，根据本发明，与以往的光掩模的制造方法相比，能够实现光掩模的进一步的高精细化。

主权项：1.光掩模的制造方法，该光掩模具备：在透明基板上形成的下层膜、以使下层膜的周边区域的至少一部分露出的方式在下层膜上形成的中间膜、和以层叠在中间膜上的方式形成的上层膜，并具备：包含第一区域和第二区域的图案，其中，该第一区域是下层膜、中间膜以及上层膜的层叠部的区域，该第二区域是下层膜的区域，其特征在于，该制造方法包括如下工序：光掩模坯准备工序，准备在透明基板上层叠有下层膜、中间膜以及上层膜的光掩模坯；第一次抗蚀剂图案形成工序，形成包含第一图案和第二图案而构成的第一次抗蚀剂图案，其中，第一图案与第一区域对应，第二图案与第一图案隔离、且第二图案的位于第一图案的一侧的边缘被设定在与第二区域的边缘位置对应的位置；第一次上层膜刻蚀工序，将第一次抗蚀剂图案作为掩模，通过刻蚀去除上层膜的露出部分，由此形成包含第一图案和第二图案而构成的上层膜图案，其中，第一图案与第一区域对应，第二图案与第一图案隔离、且第二图案的位于第一图案的一侧的边缘被设定在与第二区域的边缘位置对应的位置；第二次抗蚀剂图案形成工序，形成第二次抗蚀剂图案，该第二次抗蚀剂图案覆盖：上层膜图案的第一图案，上层膜图案的第一图案以及第二图案之间的中间膜的露出部分，以及上层膜图案的第二图案中的至少包含位于第一图案的一侧的边缘的部分，并且使上层膜图案的第二图案中的、其他部分的至少一部分露出；第二次上层膜刻蚀工序，通过刻蚀去除上层膜图案的第二图案；第一次中间膜刻蚀工序，将第二次抗蚀剂图案作为掩模，通过刻蚀去除中间膜的露出部分；下层膜刻蚀工序，将中间膜作为掩模，通过刻蚀去除下层膜的露出部分；第二次中间膜刻蚀工序，将上层膜作为掩模，通过刻蚀去除中间膜的露出部分。

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