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申请/专利权人：晶元光电股份有限公司
摘要：本发明公开一种半导体光电元件，包括：第一半导体结构；第二半导体结构，位于第一半导体结构上；活性结构，位于第一半导体结构及第二半导体结构之间；第一半导体层，位于第二半导体结构远离活性结构的一侧上；第二半导体层，位于第一半导体层上；第三半导体层，位于第二半导体层上并含有一第一元素；以及多个凹部，沿垂直方向延伸于第一半导体层、第二半导体层、以及第三半导体层中。第一半导体层具有超晶格，而第三半导体层包含多个子层，该些子层中的至少两层的第一元素含量不同。
主权项：1.一种半导体光电元件，包括：第一半导体结构；第二半导体结构，位于该第一半导体结构上；活性结构，位于该第一半导体结构及该第二半导体结构之间；第一半导体层，位于该第二半导体结构远离该活性结构的一侧上；第二半导体层，位于该第一半导体层上；第三半导体层，位于该第二半导体层上，并含有第一元素；以及多个凹部，沿垂直方向延伸于该第一半导体层、该第二半导体层、以及该第三半导体层中；其中，该第一半导体层具有超晶格，该第三半导体层包含多个子层，该些子层中的至少两层的第一元素含量不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶元光电股份有限公司 半导体光电元件
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