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基板处理方法以及基板处理装置 

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申请/专利权人:株式会社斯库林集团

摘要:基板处理方法及装置,方法包括:液膜形成工序,在基板的上表面形成处理液的液膜;液膜保温工序,将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温;气相层形成工序,一边执行液膜保温工序,一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热,由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发,而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层;开口形成工序,将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口;基板旋转工序,使基板环绕旋转轴线进行旋转;及开口扩大工序,一边执行液膜保温工序及基板旋转工序,一边使照射区域朝基板的周缘部移动,由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态,一边使开口扩大。

主权项:1.一种基板处理方法,包括:液膜形成工序,朝被水平地保持的基板的上表面供给处理液,在所述基板的上表面形成所述处理液的液膜;液膜保温工序,将所述基板的整体加热至比所述处理液的沸点更低的温度,由此对所述液膜进行保温;气相层形成工序,一边执行所述液膜保温工序,一边从与所述基板的上表面相向的照射单元朝设定在所述基板的上表面的中央部的照射区域照射光来对所述基板的上表面的中央部进行加热,由此使接触所述基板的上表面的中央部的所述处理液蒸发,而在所述液膜的中央部形成接触所述基板的上表面并保持所述处理液的气相层;开口形成工序,将由所述气相层保持的所述处理液排除,由此在所述液膜的中央部形成开口;基板旋转工序,使所述基板环绕穿过所述基板的上表面的中央部并在垂直方向上延长的旋转轴线进行旋转;以及开口扩大工序,一边执行所述液膜保温工序及所述基板旋转工序,一边使所述照射区域朝所述基板的周缘部移动,由此一边维持在所述液膜的内周缘形成有所述气相层的状态,一边使所述开口扩大。

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