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申请/专利权人：清华大学
摘要：本申请涉及噪声抑制技术领域，特别涉及一种半主动噪声抑制系统的亥姆霍兹共振器、系统及方法，其中，半主动噪声抑制系统的亥姆霍兹共振器，包括：基本结构亥姆霍兹共振器、金属薄片和压电陶瓷片，其中，基本结构亥姆霍兹共振器的共振器腔体内部设置有由金属薄片和压电陶瓷片构成的复合结构；复合结构将共振器腔体分上下两部分，金属薄片受入射声波激励发生受迫振动，依靠回复力恢复至平衡位置；压电陶瓷片在一定谐波信号激励作用下产生形变，改变金属薄片的振动特性，改变亥姆霍兹共振器在当前频率下的吸声性能。由此，解决了相关技术中，亥姆霍兹共振器有效工作频率范围较窄，噪声抑制效果依赖于亥姆霍兹共振器难以灵活调节等问题。
主权项：1.一种半主动噪声抑制系统的亥姆霍兹共振器，其特征在于，包括：基本结构亥姆霍兹共振器、金属薄片和压电陶瓷片，其中，所述基本结构亥姆霍兹共振器的共振器腔体内部设置有由所述金属薄片和所述压电陶瓷片构成的复合结构；所述复合结构将所述共振器腔体分为上下两部分，金属薄片受入射声波激励发生受迫振动时，依靠自身回复力恢复至平衡位置；所述压电陶瓷片在预设谐波信号的激励下产生形变时，改变所述金属薄片的振动特性，以使得所述亥姆霍兹共振器在当前频率下的吸声性能发生改变。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 半主动噪声抑制系统的亥姆霍兹共振器、系统及方法
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